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硅片的工艺　　

面临挑战：　　

切割线直径　　

更细的切割线意味着更低的截口损失，也就是说同一个硅块可以生产更多的硅片。然而，切割线更细更*断裂。

荷载

每次切割的总面积，等于硅片面积X每次切割的硅块数量X每个硅块所切割成的硅片数量。

切割速度

切割台通过切割线切割网的速度，这在很大程度上取决于切割线运动速度，马达功率和切割线拉力。

易于维护性

线锯在切割之间需要更换切割线和研磨浆，维护的速度越快，总体的生产力就越高。

生产商必须平衡这些相关的因素使生产力达到大化。更高的切割速度和更大的荷载将会加大切割切割线的拉力，增加切割线断裂的风险。由于同一硅块上所有硅片是同时被切割的，只要有一条切割线断裂，所有部分切割的硅片都不得不丢弃。然而，使用更粗更牢固的切割线也并不可取，这会减少每次切割所生产的硅片数量，并增加硅原料的消耗量。

电路板上的字母都代表什么意思，很多小白用户应该还不清楚吧，那么小编为大家解读一下：

U一般代表集成电路，也有ic表示的

V代表晶体管，二极管三极管之类

R代表电阻

C代表电容

L代表电感

J代表插座

TP代表检测点

F表示保险。举例说明。比如R代表电阻器、Q表示三级管等，表示电路功能编号。

R117：发光二极管

LAMP，C代表电容器；*三，D表示二极管，四位表示该器件在该电路板上同类器件的序号；*二个是数字，如“1”表示主板电路电路板上的各类符号的意思：主板上的电阻，一般情况下，个字母标识器件类别：主板上的变压器，“2”表示电源电路等等：晶体三极管：发射较，这是由电路设计者自行确定的，序号为17,C)。

芯片的背部减薄制程

1. Grinding制程：

对外延片以Lapping的方式虽然加工品质较好，但是移除率太低，也只能达到3um/min左右，如果全程使用Lapping的话，加工就需耗时约2h，时间成本过高。目前的解决方式是在Lapping之前加入Grinding的制程，通过钻石砂轮与减薄机的配合来达到快速减薄的目的。

2. Lapping制程

减薄之后再使用6um左右的多晶钻石液配合树脂铜盘，既能达到较高的移除率，又能修复Grinding制程留下的较深刮伤。一般来说切割过程中发生裂片都是由于Grinding制程中较深的刮伤没有去除，因此此时对钻石液的要求也比较高。

除了裂片之外，有些芯片厂家为了增加芯片的亮度，在Lapping的制程之后还会在外延片背面镀铜，此时对Lapping之后的表面提出了更高的要求。虽然有些刮伤不会引起裂片，但是会影响背镀的效果。此时可以采用3um多晶钻石液或者更小的细微性来进行Lapping制程，以达到更好的表面品质。