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测试流程制定

6）再次同步测量环境中太阳辐照度、组件温度及环境气温，确保在IV特性曲线测量期间，辐照度和温度并未发生突变；

7）根据测量数据，计算IV特性曲线上大功率点，填充系数等特征参数，将所有数据打包，存储于SD卡内，本次IV特性曲线扫描结束。

当1组数据测量完成，平台可根据用户设定，控制光伏组件工作于开路、短路或大功率等状态，直到下1次测量开始，可检测光伏组件长期处于特定状态工作性能。

为避免环境辐照度或温度变化对所测IV特性曲线的影响，使所测曲线更加光滑，能否快速的扫描IV特性曲线至关重要。在上述测量流程中，AD转换器对光伏组件IV特性曲线上每个点同步测量时间约80μs，测量一组IV特性曲线数据需用时约22ms，一般而言，该测量时间内几乎不会出现环境辐照度或温度突变的状况。

在所测数据存入SD卡之后，DSP同时将测量数据封装为UDP包，通过以太网模块，经由测试平台路由器，发送至上位机，上位机在接收到每个UDP包后，都给予接收应答。基于编程技术，设计了上位机监控程序，它与DSP通信，并将数据存储于SQLServer数据库内，便于用户对组件户外长期工作性能分析和评估。

按硅片直径划分：　　

硅片直径主要有3英寸、4英寸、6英寸、8英寸、12英寸（300mm），目前已发展到18英寸（450mm）等规格。直径越大，在一个硅片上经一次工艺循环可制作的集成电路芯片数就越多，每个芯片的成本也就越低。因此，更大直径硅片是硅片制各技术的发展方向。但硅片尺寸越大，对微电子工艺设各、材料和技术的要求也就越高。　　

按单晶生长方法划分：　　

直拉法制各的单晶硅，称为CZ硅（片）;磁控直拉法制各的单晶硅，称为MCZ硅（片）;悬浮区熔法制各的单晶硅，称为FZ硅（片）;用外延法在单晶硅或其他单晶衬底上生长硅外延层，称为外延（硅片）。

硅片对人体有什么危害　　硅对人体大的危害是引起。由于长期大剂量吸入二氧化硅（Si02）粉尘所致。硅尘进入呼吸道，被肺巨噬细胞吞噬，释放出活性因子，电子芯片回收，刺激成纤维细胞合成更多的胶原。硅尘还可刺激巨噬细胞释放溶酶体酶，破坏Si02表面被覆的蛋白质而暴露受损的细胞膜，还可启动脂质过氧化，产生自由基，损伤甚至巨噬细胞，的细胞可刺激临近成纤维细胞合成胶原。硅尘重新被释放出来，又被其它的巨噬细胞吞噬，而产生更多的胶原纤维，随着时间的延续，病程进展引起。各类金属矿山的工、隧道工、耐火材料工业中的随石工、玻璃制品和石英磨粉工、清沙工都较易接触硅尘而发生。由于防尘工作的大力开展，发病率己有明显降低，但尚未被完全控制，仍是我国目前主要的职业病之一。

硅片本来是无害的，如果但过多摄入锌对人体有害，会引起头晕、呕吐和腹泻等。主要成分是二氧化硅，也就是所谓的沙子，所以一般来说对人体无害。

硅片是半导体材料，如果是检测裸硅片的话是没有任何危害的，但如果你要使用laser的机台的话注意下激光源。如果是在起码module比如CVDPVD的话是有一些有毒气体的。