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逆变器是为500W的输出而设计，测量所得的交流输出功率是480.1W，功率损耗则是14.4W。在60Hz的频率下，交流输出电压有117.8V，输出电流是4.074A。这个配置获得97.09%的效率。利用相似的配置，将逆变器改为针对200W输出，然后再重新测量转换效率。结果显示，在这个负载下，交流功率为214W，功率耗损有6.0W，而在1.721A的输出电流下，60Hz输出电压为124.6V。在这个功率额定值下，所得的转换效率为97.28%。即使在较低一端的输出功率(100W)，我们也看到相似的效率性能。

简单来说，通过把适当的高电压驱动器与优化了的低侧和高侧高电压IGBT结合，我们在这里提到的太阳能逆变器设计，能够在100～500W的功率输出范围内持续提供高转换效率性能。由于转换效率非常高，所以有关的低功率损耗并不会带来任何温度管理挑战。因此，在高500W的输出功率下，高侧IGBT (IRGB4062DPBF) 的结温大约80℃，比高的特定结温175℃要低于一半。同样地，在一样的功率水平下，低侧IGBT (IRG4BC20SD-PBF)显示83℃的结温。同时，当输出功率达到200W左右，温度还会变得更低。

IC1的5脚外接电容C4(472)和6脚外接电阻R7(4k3)为脉宽调制器的定时元件，所决定的脉宽调制频率为 fosc=1.1÷ (0.0047×4.3)kHz≈50kHz。即电路中的三极管VT1、VT2、VT3、VT4、变压器T1的工作频率均为50kHz左右，因此T1应选用高频铁氧体磁芯变压器，变压器T1的作用是将12V脉冲升压为220V的脉冲，网卡回收价格，其初级匝数为20×2，次级匝数为380。

IC2的5脚外接电容C8(104)和6脚外接电阻R14(220k)为脉宽调制器的定时元件，所决定的脉宽调制频率为 fosc=1.1÷ (C8×R14)=1.1÷(0.1×220)kHz≈50Hz。

R29、R30、R27、C11、VDZ2组成XAC插座220V输出端的过压保护电路，当输出电压过高时将导致稳压管VDZ2击穿，使IC2的4脚对地电压上升，芯片IC2内的保护电路动作，切断输出。

车载逆变器电路中的MOS管VT2、VT4有一定的功耗，必须加装散热片，其他器件均不需要安装散热片。当车载逆变器产品持续应用于功率较大的场合时，需在其内部加装12V小风扇以帮助散热。

单晶硅与多晶硅的区别　　

单晶硅和多晶硅的区别是，当熔融的单质硅凝固时，硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则形成单晶硅。如果这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则形成多晶硅。多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如在力学性质、电学性质等方面，多晶硅均不如单晶硅。多晶硅可作为拉制单晶硅的原料。单晶硅可算得上是世界上纯净的物质了，一般的半导体器件要求硅的纯度六个9以上。大规模集成电路的要求更高，硅的纯度必须达到九个9。目

前，人们已经能制造出纯度为十二个9 的单晶硅。单晶硅是电子计算机、自动控制系统等现代科学技术中不可缺少的基本材料。