按硅片直径划分:
硅片直径主要有3英寸、4英寸、6英寸、8英寸、12英寸(300mm),目前已发展到18英寸(450mm)等规格。直径越大,在一个硅片上经一次工艺循环可制作的集成电路芯片数就越多,每个芯片的成本也就越低。因此,更大直径硅片是硅片制各技术的发展方向。但硅片尺寸越大,对微电子工艺设各、材料和技术的要求也就越高。
按单晶生长方法划分:
直拉法制各的单晶硅,称为CZ硅(片);磁控直拉法制各的单晶硅,称为MCZ硅(片);悬浮区熔法制各的单晶硅,称为FZ硅(片);用外延法在单晶硅或其他单晶衬底上生长硅外延层,称为外延(硅片)。
由于单个MOSFET可耗散的功率有限,因此选用了8路MOSFET并联的结构,对光伏组件的输出电流分流,并将8个MOSFET均匀固定在散热片上,避个MOSFET因功率过大而烧毁。对各个MOSFET分别采用上述的子控制电路,使得各MOSFET 工作状态大致相同,减小不同MOSFET工作温度差。后将8路差分放大的电流信号通过加法电路叠加成总电流信号,采用外围反馈电路使总电流信号与DAC模块给定的控制信号比较,同时将输出信号接入各MOSFET控制电路中,形成外围反馈控制。
印刷电路板拆卸方法1、拆卸单面印刷电路板上的元器件:可采用牙刷法、丝网法、针头法、吸锡器、气动吸等方法。表1对这些方法进行了详细比较。
大部分拆卸电子元器件的简便方法(包括国外先进的气动吸)都仅适于单面板,对双面板、多面板效果不佳。
2、拆卸双面印刷电路板上的元器件:可采用单边整体加热法、针管掏空法、锡流焊机。单连整体加热法需用的加热工具,不便通用。针管掏空法:首先把需拆卸下来的元器件的各管脚剪断,取下元器件,这时留在印刷电路板上的是元器件被剪断的管脚,然后用烙铁把每一个管脚上的锡熔化,用镊子将其取出,直到取完所有的管脚为止,再用与焊盘孔内径相适的针头把其掏空,此法虽多几道工序,但对印刷电路板无影响,取材方便且操作简单,实现较为*,本人经多年实践认为是一种较为理想的方法。